คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
144 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาด, ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SRAM - ซิงโครนัส, QDR II
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.7V ~ 1.9V
ความถี่นาฬิกา:250เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:4 ม. x 36
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
