คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
8 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ไอซี ชิป วงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:FRAM (เฟอร์โรอิเล็กทริก RAM)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.71V ~ 1.89V
ความถี่นาฬิกา:20 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:1 ม. x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:เอสพีไอ
