ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, โกตดิวัวร์, เม็กซิโก
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
CSD18540Q5B
ชนิด
มอสเฟต
ชื่อแบรนด์
TI
ประเภทแพคเกจ
Surface Mount
ลักษณะ
CSD18540Q5B เป็น MOSFET พลังงาน NexFET แบบ N-channel 60V ที่ออกแบบมาสำหรับการแปลงพลังงานที่มีประสิทธิภาพสูงและการใช้งานสวิตช์กระแสสูง, อุปกรณ์นี้มีค่าความต้านทานเปิดสูงสุด (RDS(on)) เพียง 2.2mOhm ที่ VGS=10V และ 3.3mOhm ที่ VGS=4.5Vให้ความสามารถในการรองรับกระแสไฟฟ้าสูงสุดถึง 100A แบบจำกัดแพ็กเกจ พร้อมกับค่าประจุเกตต่ำเพื่อลดการสูญเสียพลังงานในการสวิตช์, แพ็คเกจ VSON-CLIP ขนาดกะทัดรัด 5 มม. x 6 มม. ให้ประสิทธิภาพการระบายความร้อนที่ยอดเยี่ยมและความหนาแน่นของพลังงานสูง เหมาะสำหรับมอเตอร์ไดรฟ์, คอนเวอร์เตอร์ DC-DC, การเรียงกระแสแบบซิงโครนัส และระบบสวิตชิ่งพลังงาน
สถานที่กำเนิด
Other
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
คาดว่าคำสั่งซื้อของคุณจะถูกนำส่งก่อนวันที่กำหนดหรือรับการชดเชยความล่าช้า 5%
รับเงินของคุณคืนสำหรับการจัดส่งที่สูญหายและผลิตภัณฑ์ที่ชำรุดหรือเสียหาย พร้อมคืนสินค้าในพื้นที่ฟรีเมื่อมีข้อบกพร่อง
CSD18540Q5B 60V N Channel Power MOSFET 100A SON 5x6 2.2mOhm ค่า RDS ต่ำสำหรับการสลับกระแสสูง
