find similar
5/5(1)
คะแนนร้านค้า
≤1h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
16%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, เกาหลีใต้, ตุรกี/ทูร์เคีย, อิตาลี, อินเดีย

ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ หน่วยความจำ 8 WDFN Exposed Pad S3A1004V0M-JI1AT BOM IC มีสินค้าในสต็อก

ยังไม่มีรีวิว
฿130.39
1,000-3,999 ชิ้น
฿65.71
≥4,000 ชิ้น
รหัสวันที่ผลิต

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

Original

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

S3A1004V0M-JI1AT

ประเภทการติดตั้ง

การติดตั้งบนพื้นผิว

หน่วยความจำขนาด

1 เมกะบิต

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

ไอซีหน่วยความจำ MRAM 1 เมกะบิต QSPI 3.3V 1

Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
Original
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
S3A1004V0M-JI1AT
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หน่วยความจำขนาด
1 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซีหน่วยความจำ MRAM 1 เมกะบิต QSPI 3.3V 1
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 85°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
8-WDFN พร้อมแผ่นระบายความร้อน
Series
-
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
เทคโนโลยี
MRAM (แรมแบบแม่เหล็ก)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา
108 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
256,000 x 4
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
SPI - ควอด I/O
รูปแบบหน่วยความจำ
แรม

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค