คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
4Gbit (แนนด์), 2Gbit (LPDDR2)หน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปแอนด์รีล (TR)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ไอซี วงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย, ระเหย
เทคโนโลยี:แฟลช - แอนด์, แรม - LPDDR2
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.8 โวลต์
ความถี่นาฬิกา:533 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:128M x 32 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2)
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
