find similar
5/5(1)
คะแนนร้านค้า
≤1h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
20%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, เกาหลีใต้, ตุรกี/ทูร์เคีย, อิตาลี, อินเดีย

ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ ทรานซิสเตอร์ 8-DFN CGD65B200S2-T13 มีสินค้าในสต็อก

ยังไม่มีรีวิว
฿134.23
100-3,099 ชิ้น
฿67.12
≥3,100 ชิ้น

จำนวน

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

CGD65B200S2-T13

ชื่อแบรนด์

Original

ลักษณะ

650V GaN HEMT, 200 มิลลิโอห์ม, DFN5x6

สถานที่กำเนิด

China

แพคเกจ/กรณี

8-ดีเอฟเอ็น (5x6)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°ค ~ 150°ซี (ทีเจ)

Shipping
Select shipping
ยอดรวมสินค้า
฿0.00
ค่าจัดส่งทั้งหมด
รอการต่อรอง
ยอดรวมย่อย
฿0.00

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
CGD65B200S2-T13
ชื่อแบรนด์
Original
ลักษณะ
650V GaN HEMT, 200 มิลลิโอห์ม, DFN5x6
สถานที่กำเนิด
China
แพคเกจ/กรณี
8-ดีเอฟเอ็น (5x6)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°ค ~ 150°ซี (ทีเจ)
Series
ไอซีGaN
รหัสวันที่ผลิต
ใหม่
FET ประเภท
-
FET คุณลักษณะ
Current Sensing
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
๖๕๐ โวลต์
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
8.5A (ทีซี)
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
280mOhm @ 600mA, 12V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
4.2V @ 2.75mA
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
1.4 เอ็นซี @ 12 โวลต์
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
-
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
9 โวลต์, 20 โวลต์
VGS (MAX)
+20V, -1V +20 โวลต์, -1 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ
คัทเทป (CT)
ประเภทเฟ็ต
-
เทคโนโลยี
GaNFET (แกลเลียมไนไตรด์)

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค