คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
128Kบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปแอนด์รีล (TR)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ชุดอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SRAM - พอร์ตคู่, แบบอะซิงโครนัส
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:4.5V ~ 5.5V
ความถี่นาฬิกา:-
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:8K x 16
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:35 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
