คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
2 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ท่อประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ไอซี วงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:แฟลช
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:3V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:33 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:256Kx8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:50 ไมโครวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
