ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ 165 TBGA IDT71P72804S250BQG หน่วยความจำของแท้
ยังไม่มีรีวิว







คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
18 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์คุณสมบัติ
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SRAM - ซิงโครนัส, QDR II
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.7V ~ 1.9V
ความถี่นาฬิกา:250เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:1 ม. x 18
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
18 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี
SRAM - ซิงโครนัส, QDR II
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.7V ~ 1.9V
ความถี่นาฬิกา
250เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
1 ม. x 18
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
อีซี่รีเทิร์น
136 - 3,135 ชิ้น
฿423.21
>= 3,136 ชิ้น
฿211.61
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
รหัสสินค้า: IDT71P72804S250BQG
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ 165 TBGA IDT71P72804S250BQG หน่วยความจำของแท้











