ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ หน่วยความจำ 60 TFBGA IS43DR86400C-3DBI-TR ของแท้ บริการครบวงจร
คะแนนร้านค้า :4.5
(2 รีวิว)
คุณลักษณะ
SDRAM-DDR2เทคโนโลยี
ไม่มั่นคงประเภทหน่วยความจำ
64M x 8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
512 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.7V ~ 1.9V
ความถี่นาฬิกา:333 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
5Chips Tech Limited
HK1 ปีบน Alibaba.com
4.5/5.0(2 รีวิว)อัตราการสั่งซื้อซ้ำ: 16%เวลาในการตอบกลับ ≤ 3hอัตราการจัดส่งตรงเวลา ≥ 94%
ตลาดหลัก: ไต้หวัน, จีน, เขตบริหารพิเศษฮ่องกง, คาซัคสถาน, เดนมาร์ก, สหรัฐอเมริกา
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
SDRAM-DDR2
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
64M x 8
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
512 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.7V ~ 1.9V
ความถี่นาฬิกา
333 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
2,000 - 4,999 ชิ้น
฿115.18
>= 5,000 ชิ้น
฿57.59
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
IS43DR86400C 3DBI ทรี
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
