All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

ซื้อแผ่น8 UFDFN ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ AT25FF081A-MAHN-T หน่วยความจำดั้งเดิม

ยังไม่มีรีวิว

คุณลักษณะ

แฟลช - ไม่เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
2 ม. x 4การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
8 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:เทปและรีล (TR), เทปตัด (CT)
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:ชิปวงจรรวม
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.65V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:133 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:22 ไมโครวินาที, 6.5 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:SPI - ช่องสัญญาณขาเข้า/ขาออกแบบสี่ช่อง

คุณสมบัติที่สำคัญ

เทคโนโลยี
แฟลช - ไม่
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
2 ม. x 4
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
8 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปและรีล (TR), เทปตัด (CT)
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ชิปวงจรรวม
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.65V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา
133 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
22 ไมโครวินาที, 6.5 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
SPI - ช่องสัญญาณขาเข้า/ขาออกแบบสี่ช่อง

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค
1 - 4,999 ชิ้น
฿11.27
>= 5,000 ชิ้น
฿7.30

รูปแบบ

เลือกเลย

สเปค

AT25FF081A แมนที

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การส่งคืนง่าย

ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ