find similar
Shenzhen By Technology Co., Ltd. logo
Shenzhen By Technology Co., Ltd.
CN2 ปี
4.9/5(27)
คะแนนร้านค้า
≤2h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
15%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สวิตเซอร์แลนด์, เกาหลีใต้, บราซิล, สหรัฐอเมริกา, ไทย

การคัดกรองซัพพลายเออร์สร้างรายงาน

รายการวัสดุ (BOM) พร้อมใบเสนอราคา 4435 MOSFET 3.1W PD 30V VDSS 10A 1 P-Channel RDS บน 16mOhm ที่ 10V 20mOhm ที่ 4.5V 44-35 SOP-8 แบบม้วนเทป

ยังไม่มีรีวิว
฿7.56
50-4,999 ชิ้น
฿3.10
5,000-49,999 ชิ้น
฿2.07
≥50,000 ชิ้น
ราคาตัวอย่างสินค้า :฿15.12
สเปค

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

YJL2301G

ชนิด

มอสเฟต

ชื่อแบรนด์

4435

ประเภทแพคเกจ

มอสเฟต

ลักษณะ

4435 มอสเฟต

สถานที่กำเนิด

China

การวิเคราะห์และวิจัยเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์นี้
คำนวณต้นทุนและกำไรขั้นต้น
Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การส่งคืนง่าย

ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
YJL2301G
ชนิด
มอสเฟต
ชื่อแบรนด์
4435
ประเภทแพคเกจ
มอสเฟต
ลักษณะ
4435 มอสเฟต
สถานที่กำเนิด
China
แพคเกจ/กรณี
ซีโอพี-8
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ถึง +150 องศาเซลเซียส
Series
4435
รหัสวันที่ผลิต
สุ่ม หรือ ติดต่อ
ใบสมัคร
มอสเฟต
ประเภทผู้ผลิต
ตัวแทน, ผู้ค้าปลีก
อ้างอิง
การอ้างอิงโยงมาตรฐาน
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
ไอซีมาตรฐาน
แรงดันพังทลายระหว่างคอลเลกเตอร์และอีมิตเตอร์ (สูงสุด)
แรงดันพังทลายมาตรฐาน
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
มาตรฐาน Vce ความเข้มข้น
Current-Collector CUTOFF (MAX)
กระแสตัดของตัวสะสมมาตรฐาน
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
hFE มาตรฐาน
Power-MAX
กำลังไฟมาตรฐาน
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
ความถี่มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
มาตรฐาน R1
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
มาตรฐาน R2
FET ประเภท
FET มาตรฐาน
FET คุณลักษณะ
FET มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
มาตรฐาน Vdss
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
รหัสมาตรฐาน
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
มาตรฐาน Rds เปิด
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
มาตรฐาน Vgs(th)
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
มาตรฐาน Qg
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
ระบบจ่ายหมึกต่อเนื่องมาตรฐาน
ความถี่
ความถี่มาตรฐาน
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
พิกัดกระแสไฟฟ้ามาตรฐาน
รูปเสียงรบกวน
เสียงรบกวนต่ำ
Power-เอาต์พุต
กำลังขับมาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า
แรงดันไฟฟ้ามาตรฐาน
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
แรงดันไฟฟ้ามาตรฐาน
VGS (MAX)
มาตรฐาน Vgs
IGBT ประเภท
IGBT มาตรฐาน
การกำหนดค่า
ตรวจสอบเอกสารข้อมูล
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
เวคมาตรฐาน เปิด
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
มาตรฐาน Cies
อินพุต
อินพุตมาตรฐาน
NTC Thermistor
มาตรฐาน NTC
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
มาตรฐาน V(BR)GSS
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
มาตรฐาน Idss
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
รหัสมาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
มาตรฐาน VGS ปิด
ความต้านทาน-RDS (On)
ความต้านทานมาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
แรงดันไฟฟ้ามาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
มาตรฐาน Vt
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
มาตรฐานอีเกา
Current-Valley (IV)
มาตรฐาน IV
Current-Peak
กระแสไฟสูงสุดมาตรฐาน
ประเภททรานซิสเตอร์
ทรานซิสเตอร์มาตรฐาน
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งมาตรฐาน
หมายเลขชิ้นส่วน
4435
บรรจุภัณฑ์
ม้วนเทป
การกระจายพลังงาน (Pd)
3.1 วัตต์
แรงดันระหว่างเดรนและซอร์ส
30 โวลต์
กระแสไฟต่อเนื่อง (Id)
สิบเอ
หมายเลข
1 พี-แชนแนล
RDS(เปิด)
16 มิลลิโอห์ม ที่ 10 โวลต์; 20 มิลลิโอห์ม ที่ 4.5 โวลต์
แหล่งผลิต
จีน

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
6X6X3 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.010 กก.

ระยะเวลารอสินค้า