BOM IC ในสต็อก หน่วยความจำ 216 VFBGA MT42L128M64D4KJ-3 IT:A ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ยังไม่มีรีวิว

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 ปี

HK

คุณลักษณะ

SDRAM - LPDDR2 สำหรับมือถือเทคโนโลยี

ไม่มั่นคงประเภทหน่วยความจำ

128เอ็ม x 64การจัดระเบียบหน่วยความจำ

การติดตั้งบนพื้นผิวประเภทการติดตั้ง

MT42L128M64D4KJ-3 IT:Aหมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

Originalชื่อแบรนด์

หน่วยความจำขนาด:8 กิกะบิต

สถานที่กำเนิด:China

ลักษณะ:ไอซี DRAM 8Gbit แบบขนาน 216FBGA

ประเภท บรรจุภัณฑ์:จำนวนมาก

อุณหภูมิในการทำงาน:-25°ค ~ 85°ซี (ทีซี)

แพคเกจ/กรณี:216-VFBGA 216-VFBGA วีเอฟบีจีเอ

Series:-

แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.14V ~ 1.3V

ความถี่นาฬิกา:333 เมกะเฮิรตซ์

เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-

อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน

รูปแบบหน่วยความจำ:ดราม

คุณสมบัติที่สำคัญ

เทคโนโลยี

SDRAM - LPDDR2 สำหรับมือถือ

ประเภทหน่วยความจำ

ไม่มั่นคง

การจัดระเบียบหน่วยความจำ

128เอ็ม x 64

ประเภทการติดตั้ง

การติดตั้งบนพื้นผิว

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

MT42L128M64D4KJ-3 IT:A

ชื่อแบรนด์

Original

หน่วยความจำขนาด

8 กิกะบิต

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

ไอซี DRAM 8Gbit แบบขนาน 216FBGA

ประเภท บรรจุภัณฑ์

จำนวนมาก

อุณหภูมิในการทำงาน

-25°ค ~ 85°ซี (ทีซี)

แพคเกจ/กรณี

216-VFBGA 216-VFBGA วีเอฟบีจีเอ

Series

-

แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ

1.14V ~ 1.3V

ความถี่นาฬิกา

333 เมกะเฮิรตซ์

เขียนรอบเวลา-คำหน้า

-

อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ

ขนาน

รูปแบบหน่วยความจำ

ดราม

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย

รายการเดียว

แพคเกจเดียวขนาด

1X1X1 ซม.

เดี่ยวน้ำหนักรวม

0.100 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

รายงานกิจกรรมที่น่าสงสัย

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์

แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม

100 - 3,099 ชิ้น

฿30.34

>= 3,100 ชิ้น

฿15.34

รูปแบบ

เลือกเลย

รหัสวันที่ผลิต

ใหม่

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ