BOM IC มีสินค้าในสต็อก เมมโมรี่ 134 VFBGA W97AH6NBVA2I TR ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
SDRAM - LPDDR2-S4B สำหรับมือถือเทคโนโลยี
ไม่มั่นคงประเภทหน่วยความจำ
64เอ็ม x 16การจัดระเบียบหน่วยความจำ
การติดตั้งบนพื้นผิวประเภทการติดตั้ง
W97AH6NBVA2I TRหมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
Originalชื่อแบรนด์
หน่วยความจำขนาด:1 กิกะบิต
สถานที่กำเนิด:China
ลักษณะ:ไอซี DRAM 1Gbit HSUL 12 134VFBGA
ประเภท บรรจุภัณฑ์:เทปและม้วน (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°ค ~ 85°ซี (ทีซี)
แพคเกจ/กรณี:134-วีเอฟบีจีเอ
Series:-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา:400 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:HSUL_12 เอชเอสยูแอล_12
รูปแบบหน่วยความจำ:ดราม
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
SDRAM - LPDDR2-S4B สำหรับมือถือ
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
64เอ็ม x 16
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
W97AH6NBVA2I TR
ชื่อแบรนด์
Original
หน่วยความจำขนาด
1 กิกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี DRAM 1Gbit HSUL 12 134VFBGA
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 85°ซี (ทีซี)
แพคเกจ/กรณี
134-วีเอฟบีจีเอ
Series
-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา
400 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
HSUL_12 เอชเอสยูแอล_12
รูปแบบหน่วยความจำ
ดราม
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
3,500-6,499 ชิ้น
฿46.67
≥6,500 ชิ้น
฿23.34
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
