BOM IC ในสต็อก เมมโมรี่ 130 VFBGA MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
แฟลช - NAND, LPDRAM สำหรับมือถือเทคโนโลยี
ไม่ระเหย, ระเหยประเภทหน่วยความจำ
128M x 8 (NAND), 16M x 32 (แอลพีดีอาร์แอม)การจัดระเบียบหน่วยความจำ
การติดตั้งบนพื้นผิวประเภทการติดตั้ง
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TRหมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
Originalชื่อแบรนด์
หน่วยความจำขนาด:1 กิกะบิต (NAND), 512 เมกะบิต (LPDRAM)
สถานที่กำเนิด:China
ลักษณะ:ไอซี แฟลช แรม 1 กิกะบิต พาร์ 130VFBGA
ประเภท บรรจุภัณฑ์:เทปและม้วน (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°ค ~ 85°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี:130-VFBGA 130-VFBGA วีเอฟบีจีเอ
Series:-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.7V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา:200 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ:แฟลช, แรม
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
แฟลช - NAND, LPDRAM สำหรับมือถือ
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย, ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
128M x 8 (NAND), 16M x 32 (แอลพีดีอาร์แอม)
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR
ชื่อแบรนด์
Original
หน่วยความจำขนาด
1 กิกะบิต (NAND), 512 เมกะบิต (LPDRAM)
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี แฟลช แรม 1 กิกะบิต พาร์ 130VFBGA
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 85°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
130-VFBGA 130-VFBGA วีเอฟบีจีเอ
Series
-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.7V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา
200 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ
แฟลช, แรม
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
100 - 3,099 ชิ้น
฿27.98
≥ 3,100 ชิ้น
฿13.99
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
