ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ BOM IC ในสต็อก CY14B101KA-ZS25XI 44 TSOP หน่วยความจำ
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
128,000 x 8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
การติดตั้งบนพื้นผิวประเภทการติดตั้ง
CY14B101KA-ZS25XIหมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
Originalชื่อแบรนด์
หน่วยความจำขนาด:1 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด:China
ลักษณะ:ไอซี NVSRAM 1 เมกะบิต PAR 44TSOP II
ประเภท บรรจุภัณฑ์:จำนวนมาก,จำนวนมาก,ถาด
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°ค ~ 85°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี:44-TSOP (0.400", ความกว้าง 10.16 มม.)
Series:-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:25 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ:เอ็นวีแรม
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
128,000 x 8
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
CY14B101KA-ZS25XI
ชื่อแบรนด์
Original
หน่วยความจำขนาด
1 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี NVSRAM 1 เมกะบิต PAR 44TSOP II
ประเภท บรรจุภัณฑ์
จำนวนมาก,จำนวนมาก,ถาด
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 85°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
44-TSOP (0.400", ความกว้าง 10.16 มม.)
Series
-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา
-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
25 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ
เอ็นวีแรม
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
30 - 3,029 ชิ้น
฿422.37
>= 3,030 ชิ้น
฿211.35
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
