ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ BOM IC ในสต็อก รุ่น K6R1008C1D-TC10 หน่วยความจำ
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
SRAM - อะซิงโครนัสเทคโนโลยี
ไม่มั่นคงประเภทหน่วยความจำ
128,000 x 8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
การติดตั้งบนพื้นผิวประเภทการติดตั้ง
K6R1008C1D-TC10หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
Originalชื่อแบรนด์
หน่วยความจำขนาด:1 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด:China
ลักษณะ:SRAM ASYNC FAST 1M 128x8 5V 32 ตัว
ประเภท บรรจุภัณฑ์:ท่อ
อุณหภูมิในการทำงาน:0°ค ~ 70°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี:-
Series:-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:5 โวลต์
ความถี่นาฬิกา:-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:10 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ:เอสแรม
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
SRAM - อะซิงโครนัส
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
128,000 x 8
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
K6R1008C1D-TC10
ชื่อแบรนด์
Original
หน่วยความจำขนาด
1 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
SRAM ASYNC FAST 1M 128x8 5V 32 ตัว
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ท่อ
อุณหภูมิในการทำงาน
0°ค ~ 70°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
-
Series
-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
5 โวลต์
ความถี่นาฬิกา
-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
10 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ
เอสแรม
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
100 - 3,099 ชิ้น
฿37.31
>= 3,100 ชิ้น
฿18.66
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
