คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
4 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
หลอด, หลอดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ชิ้นส่วนชิปอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:NVSRAM (SRAM แบบไม่ลบเลือน)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:-
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:256Kx16
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:45 นาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
ขายหน่วย:รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด:1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม:0.100 กก.
