ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ในสต็อก BOM IC รุ่น AT45DB021E-SHN-B 8 SOlC เมมโมรี่
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
แฟลชเทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
264 ไบต์ x 1024 หน้าการจัดระเบียบหน่วยความจำ
การติดตั้งบนพื้นผิวประเภทการติดตั้ง
AT45DB021E-SHN-Bหมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
Originalชื่อแบรนด์
หน่วยความจำขนาด:2 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด:China
ลักษณะ:ไอซี แฟลช 2 เมกะบิต SPI 70MHz 8SOIC
ประเภท บรรจุภัณฑ์:ท่อ
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°ค ~ 85°ซี (ทีซี)
แพคเกจ/กรณี:8-SOIC (0.209", ความกว้าง 5.30 มม.)
Series:-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.65V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:70 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:8µs, 3มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:เอสพีไอ
รูปแบบหน่วยความจำ:แฟลช
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
แฟลช
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
264 ไบต์ x 1024 หน้า
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
AT45DB021E-SHN-B
ชื่อแบรนด์
Original
หน่วยความจำขนาด
2 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี แฟลช 2 เมกะบิต SPI 70MHz 8SOIC
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ท่อ
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 85°ซี (ทีซี)
แพคเกจ/กรณี
8-SOIC (0.209", ความกว้าง 5.30 มม.)
Series
-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.65V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา
70 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
8µs, 3มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
เอสพีไอ
รูปแบบหน่วยความจำ
แฟลช
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1 - 3,000 ชิ้น
฿25.94
≥ 3,001 ชิ้น
฿13.30
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
