BD136 BD138 BD140 BD135 BD137 BD139 1.5A 45 V/60 V/80 V TO-126 ทรานซิสเตอร์ซิลิคอนแบบแหลมแกน
คะแนนร้านค้า :4.3
(9 รีวิว)
คุณลักษณะ
BD136หมายเลขรุ่น
Darlington ทรานซิสเตอร์ชนิด
JSMSEMIชื่อแบรนด์
throught หลุมประเภทแพคเกจ
ทรานซิสเตอร์ซิลิคอนลักษณะ
Guangdong, Chinaสถานที่กำเนิด
แพคเกจ/กรณี:เพื่อ-126
D/c:2024
ใบสมัคร:วัตถุประสงค์ทั่วไป
ประเภทผู้ผลิต:ผู้ผลิตดั้งเดิม
อ้างอิง:BD138, BD140
Media ม:เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด):1.5A
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด):80V
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic:0
Current-Collector CUTOFF (MAX):1.5A
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE:80V
Power-MAX:1.25W
ประเภทการติดตั้ง:ผ่านรู
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1):0
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2):0
FET ประเภท:ทรานซิสเตอร์
FET คุณลักษณะ:ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SIC)
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss):80V
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C:1.5A
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs:0
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:0
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:0
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:0
ความถี่:0
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์):1.5A
รูปเสียงรบกวน:0
Power-เอาต์พุต:1.25W
แรงดันไฟฟ้า:80V
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON):80V
IGBT ประเภท:ทรานซิสเตอร์
การกำหนดค่า:ไม่สามารถใช้ได้
อินพุต:1.25W
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS):80V
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX:1.25A
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต:80V
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT):80V
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao):1.25A
Current-Valley (IV):1.25A
Current-Peak:1.25A
ประเภททรานซิสเตอร์:ทรานซิสเตอร์ซิลิคอน
คุณสมบัติที่สำคัญ
หมายเลขรุ่น
BD136
ชนิด
Darlington ทรานซิสเตอร์
ชื่อแบรนด์
JSMSEMI
ประเภทแพคเกจ
throught หลุม
ลักษณะ
ทรานซิสเตอร์ซิลิคอน
สถานที่กำเนิด
Guangdong, China
แพคเกจ/กรณี
เพื่อ-126
D/c
2024
ใบสมัคร
วัตถุประสงค์ทั่วไป
ประเภทผู้ผลิต
ผู้ผลิตดั้งเดิม
อ้างอิง
BD138, BD140
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
1.5A
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
80V
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
0
Current-Collector CUTOFF (MAX)
1.5A
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
80V
Power-MAX
1.25W
ประเภทการติดตั้ง
ผ่านรู
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
0
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
0
FET ประเภท
ทรานซิสเตอร์
FET คุณลักษณะ
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SIC)
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
80V
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
1.5A
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
0
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
0
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
0
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
0
ความถี่
0
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
1.5A
รูปเสียงรบกวน
0
Power-เอาต์พุต
1.25W
แรงดันไฟฟ้า
80V
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
80V
IGBT ประเภท
ทรานซิสเตอร์
การกำหนดค่า
ไม่สามารถใช้ได้
อินพุต
1.25W
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
80V
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
1.25A
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
80V
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
80V
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
1.25A
Current-Valley (IV)
1.25A
Current-Peak
1.25A
ประเภททรานซิสเตอร์
ทรานซิสเตอร์ซิลิคอน
ประเภทการติดตั้ง
เพื่อ-126
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
Multiple of 1,000
ขนาดแพคเกจต่อชุด
22X22X7 ซม.
น้ำหนักสุทธิต่อชุด
0.700 กก.
ตัวเลือกการปรับแต่ง
Customized logo (ยอดซื้อขั้นต่ำ : 10,000 ชิ้น )
ดูรายละเอียด
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
จัดส่งฟรี จำกัดมูลค่าสูงสุดที่ ฿654.99
รับประกันคืนเงิน
1 batch = 1,000 ชิ้น
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 1,000 ชิ้น
฿0.655*ภาษีและค่าธรรมเนีบมการนำเข้าจะถูกคำนวณขณะชำระเงิน
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การจัดส่ง
มาตรฐาน
ค่าขนส่ง: จัดส่งฟรี
วันนำส่งที่รับประกัน : 19 มี.ค. - 30 มี.ค., นำส่งแล้ว 33.1%≤ 13 วัน
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
รับประกันการนำส่งผ่าน
คาดว่าคำสั่งซื้อของคุณจะถูกนำส่งก่อนวันที่กำหนดหรือรับการชดเชยความล่าช้า 10%
รับประกันคืนเงิน
รับเงินของคุณคืนสำหรับการจัดส่งที่สูญหายและผลิตภัณฑ์ที่ชำรุดหรือเสียหาย พร้อมคืนสินค้าในพื้นที่ฟรีเมื่อมีข้อบกพร่อง
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
