find similar
5/5(1)
คะแนนร้านค้า
≤2h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
40%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, เกาหลีใต้, ตุรกี/ทูร์เคีย, อิตาลี, อินเดีย

ตัวแทนจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต ทรานซิสเตอร์ TO-263-7 G2R120MT33J-TR ชิปอิเล็กทรอนิกส์ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ยังไม่มีรีวิว
฿2,204.78
100-3,099 ชิ้น
฿1,102.56
≥3,100 ชิ้น

จำนวน

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

G2R120MT33J-TR

ชื่อแบรนด์

Original

ลักษณะ

3300V 120M TO-263-7 G2R ซิค MOSF

สถานที่กำเนิด

China

แพคเกจ/กรณี

TO-263-7 ทีโอ-263-7

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°ค ~ 175°ซี (ทีเจ)

Shipping
Select shipping
ยอดรวมสินค้า
฿0.00
ค่าจัดส่งทั้งหมด
รอการต่อรอง
ยอดรวมย่อย
฿0.00

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
G2R120MT33J-TR
ชื่อแบรนด์
Original
ลักษณะ
3300V 120M TO-263-7 G2R ซิค MOSF
สถานที่กำเนิด
China
แพคเกจ/กรณี
TO-263-7 ทีโอ-263-7
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°ค ~ 175°ซี (ทีเจ)
Series
ลอริง
รหัสวันที่ผลิต
ใหม่
FET ประเภท
N-Channel
FET คุณลักษณะ
-
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
3300 โวลต์
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
33เอ (ทีซี)
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
156mOhm @ 15A, 20V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
3.5V @ 4mA
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
130 nC @ 20 โวลต์
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3009 pF @ 1,000 โวลต์
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
20 โวลต์
VGS (MAX)
+20V, -5V +20 โวลต์, -5 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ
เทปและม้วน (TR)
ประเภท FET
เอ็น-แชนแนล
เทคโนโลยี
SiCFET (ซิลิคอนคาร์ไบด์)

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค