คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
1กิกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปแอนด์รีล (TR)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:วงจรรวมส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SDRAM - DDR3
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.283V ~ 1.45V
ความถี่นาฬิกา:667เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:256M x 4
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
