คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
2กิกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:วงจรรวมไอซี
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SDRAM - มือถือ LPDDR2-S4
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.14V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา:533 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:128M x 16
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
