คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
1 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ท่อประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:NVSRAM (SRAM แบบไม่ลบเลือน)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:-
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:128Kx8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:25 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
