find similar
5/5(1)
คะแนนร้านค้า
≤4h
เวลาในการตอบกลับ
≥88%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
18%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สวีเดน, สโลวาเกีย, ไทย, สหรัฐอเมริกา, อิสราเอล

ตัวแทนจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต ชิปอิเล็กทรอนิกส์ คอมโพเนนต์ AS25F3256MQ-7W2INTR 8 WDFN Exposed Pad Memory

ยังไม่มีรีวิว
฿98.94
1-2,999 ชิ้น
฿38.82
≥3,000 ชิ้น
รหัสวันที่ผลิต

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

Original

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

AS25F3256MQ-7W2INTR

ประเภทการติดตั้ง

การติดตั้งบนพื้นผิว

หน่วยความจำขนาด

256 เมกะบิต

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

256MB, แฟลช NOR แบบอนุกรม 3V, มัลติ

Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
Original
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
AS25F3256MQ-7W2INTR
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หน่วยความจำขนาด
256 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
256MB, แฟลช NOR แบบอนุกรม 3V, มัลติ
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR), เทปตัด (CT)
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 85°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
8-WDFN พร้อมแผ่นระบายความร้อน
Series
-
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
เทคโนโลยี
แฟลช - NOR (SLC)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
2.3V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา
133 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
64M x 4, 128M x 2, 256M x 1
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
3 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
SPI - ควอด I/O, QPI, DTR
รูปแบบหน่วยความจำ
แฟลช

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค