คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
4 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ไอซี ชิป วงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SRAM - ซิงโครนัส, SDR
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:3.135V ~ 3.465V
ความถี่นาฬิกา:166 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:128K x 36
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:6 วินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
