AT45DB081B-CNU-2.5 8 VDFN ชิ้นส่วนหน่วยความจำ ช่องจำหน่ายจากผู้ผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
8 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
ชุดวงจรรวมคุณสมบัติ
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:แฟลช
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.5V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:15 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:264 ไบต์ x 4096 หน้า
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:14 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:เอสพีไอ
คุณสมบัติที่สำคัญ
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
8 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ชุดวงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
เทคโนโลยี
แฟลช
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
2.5V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา
15 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
264 ไบต์ x 4096 หน้า
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
14 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
เอสพีไอ
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1,352 - 4,351 ชิ้น
฿26.22
>= 4,352 ชิ้น
฿13.11
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
AT45DB081B ซีเอ็นยู 2.5
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
