find similar
≤5h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา

K4FBE3D4HM-TFCL03V 200FBGA ชิปหน่วยความจำ DDR SDRAM 4GB วงจรรวมไอซี ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ยังไม่มีรีวิว
฿3.45
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 1 ชิ้น
สเปค
รหัสวันที่ผลิต

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

Original Standard

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

Original

ชนิด

ไอซีหน่วยความจำ

สถานที่กำเนิด

South Korea

ลักษณะ

มาตรฐานดั้งเดิม

ประเภท บรรจุภัณฑ์

บีจีเอ

Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
Original Standard
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
Original
ชนิด
ไอซีหน่วยความจำ
สถานที่กำเนิด
South Korea
ลักษณะ
มาตรฐานดั้งเดิม
ประเภท บรรจุภัณฑ์
บีจีเอ
ใบสมัคร
ไอซี
แพคเกจ/กรณี
บีจีเอ
Series
แอลพีดีดีอาร์
คุณภาพ
ต้นฉบับ 100%
บริการ
ต้นฉบับ
รุ่นผลิตภัณฑ์
K4FBE3D4HM-TFCL03V ค4เอฟบีอี3ดี4เอชเอ็ม-ทีเอฟซีแอล03วี
การชำระเงิน
ที/ที
การจัดส่ง
ไปรษณีย์จีน
MOQ
1 ชิ้น
วิธีการชำระเงิน
ที/ที
สภาพ
แบรนด์แท้ 100%
แพ็คเกจ
200FBGA ของแท้
หมายเลขล็อต
ภายใน 3 ปี
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
ชิปหน่วยความจำ LPDDR4
ระยะเวลาดำเนินการ
2-3 วันทำการ
การบรรจุ
บีจีเอ
อัตราการโอน
LPDDR4 3200 เมกะบิตต่อวินาที
เอกสารข้อมูล
มีให้ตามคำขอ
ชื่อสินค้า
ชิปแรม LPDDR4
แรงดันไฟฟ้า
1. 2 โวลต์
ผู้จัดจำหน่าย
เมืองคู่
จัดส่งเร็วที่สุด
ภายใน 2-3 วันทำการ
ทีมงานมืออาชีพมากที่สุด
ทีมสนับสนุนชิ้นส่วน IC มืออาชีพ

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค