ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD

SG2 ปี

≤3h

เวลาในการตอบกลับ

การคัดกรองซัพพลายเออร์สร้างรายงาน

AS6C4008-55PIN SDR SRAM 4M 2.7-5.5V 55ns 512K X 8 หน่วยความจำแบบอะซิงโครนัสสแตติคแบบเข้าถึงโดยสุ่ม (SRAM) หรือแฟลช ของแท้ แบรนด์ใหม่

Name: As6c4008-55pin Sdr Sram 4m 2.7-5.5v 55ns 512k X 8 หน่วยความจำแบบอะซิงโครนัสสแตติคแบบเข้าถึงโดยสุ่ม (sram) หรือแฟลช ของแท้ แบรนด์ใหม่ - Buy Product on Alibaba.com
Brand: ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
SKU: 1601466914441
Price: 5 USD
Availability: InStock

ยังไม่มีรีวิว

฿209.44

1-99 ชิ้น

฿179.32

100-1,013 ชิ้น

฿171.11

≥1,014 ชิ้น

สเปค

แพคเกจ/กรณี

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

original

หมายเลขรุ่น

AS6C4008-55PIN

ประเภทรีเลย์

STANDARD

การผลิตวันที่รหัส

NEW

สถานที่กำเนิด

Other

ประเภทการติดตั้ง

NOR Flash

Shipping

Select shipping

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

original

หมายเลขรุ่น

AS6C4008-55PIN

ประเภทรีเลย์

STANDARD

การผลิตวันที่รหัส

NEW

สถานที่กำเนิด

ORIGINAL

ประเภทการติดตั้ง

NOR Flash

ลักษณะ

SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM

ใบสมัคร

STANDARD

ชนิด

SRAM

ประเภทขาออก

STANDARD

ประเภทคอยล์

STANDARD

วงจร

STANDARD

ประเภทตัวเชื่อมต่อ

STANDARD

แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต

STANDARD

ติดต่อผู้ใช้ (Current)

STANDARD

แรงดันไฟฟ้า-อินพุต

STANDARD

การสลับแรงดันไฟฟ้า

STANDARD

Current-อินพุต

STANDARD

แบบฟอร์มติดต่อ

STANDARD

แรงดันไฟฟ้าโหลด

STANDARD

-State ความต้านทาน (MAX)

STANDARD

Current-เอาต์พุต

STANDARD

รูปแบบการสิ้นสุด

STANDARD

โหลด Current

STANDARD

COIL Current

STANDARD

แรงดันไฟฟ้าขดลวด

STANDARD

Series

AS6C4008

คุณสมบัติ

STANDARD

Memory Type

SDR

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย

สินค้าชิ้นเดียว

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

รายงานกิจกรรมที่น่าสงสัย

จำนวน (ชิ้น )	1 - 1,000	> 1,000
ระยะเวลาโดยประมาณ (วัน)	3	รอการต่อรอง

AS6C4008-55PIN SDR SRAM 4M 2.7-5.5V 55ns 512K X 8 หน่วยความจำแบบอะซิงโครนัสสแตติคแบบเข้าถึงโดยสุ่ม (SRAM) หรือแฟลช ของแท้ แบรนด์ใหม่

คุณสมบัติที่สำคัญ

คุณสมบัติที่สำคัญ

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง