AS4C64M16D2B-25BCN 84 TFBGA หน่วยความจำ ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ ของแท้
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
SDRAM-DDR2เทคโนโลยี
ไม่มั่นคงประเภทหน่วยความจำ
64M x 16การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
1กิกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:ถาด
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:ชุดวงจรรวม
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.7V ~ 1.9V
ความถี่นาฬิกา:400เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
SDRAM-DDR2
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
64M x 16
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
1กิกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ชุดวงจรรวม
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.7V ~ 1.9V
ความถี่นาฬิกา
400เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1 - 3,000 ชิ้น
฿100.08
>= 3,001 ชิ้น
฿50.04
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
AS4C64M16D2B 25BCN เอเอส4ซี64เอ็ม16ดี2บี 25บีซีเอ็น
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
