คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
16 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ชิปวงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:MRAM (แรมแม่เหล็ก)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.65V ~ 2V
ความถี่นาฬิกา:133 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:2 ม. x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:SPI - ช่องสัญญาณขาเข้า/ขาออกแบบสี่ช่อง
