คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
64Kบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
จำนวนมาก,หลอดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:NVSRAM (SRAM แบบไม่ลบเลือน)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:40 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:8Kx8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:เอสพีไอ
ขายหน่วย:รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด:1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม:0.100 กก.
