คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
4กิกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:วงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SDRAM - DDR3L
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.283V ~ 1.45V
ความถี่นาฬิกา:933 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:512M x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:พ็อด
