โมดูล 36 DIP รุ่น DS1265Y-70+ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำ BOM IC มีสินค้าในสต็อก

ยังไม่มีรีวิว

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 ปี

HK

คุณลักษณะ

NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)เทคโนโลยี

ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ

1เอ็มx8การจัดระเบียบหน่วยความจำ

ทะลุรูประเภทการติดตั้ง

DS1265Y-70+หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

Originalชื่อแบรนด์

หน่วยความจำขนาด:8 เมกะบิต

สถานที่กำเนิด:China

ลักษณะ:ไอซี NVSRAM 8 เมกะบิต แบบขนาน 36EDIP

ประเภท บรรจุภัณฑ์:ท่อ

อุณหภูมิในการทำงาน:0°ค ~ 70°ซี (TA)

แพคเกจ/กรณี:โมดูล 36-DIP (0.610", 15.49 มม.)

Series:-

แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:4.5V ~ 5.5V

ความถี่นาฬิกา:-

เขียนรอบเวลา-คำหน้า:70 นาโนวินาที

อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน

รูปแบบหน่วยความจำ:เอ็นวีแรม

คุณสมบัติที่สำคัญ

เทคโนโลยี

NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)

ประเภทหน่วยความจำ

ไม่ระเหย

การจัดระเบียบหน่วยความจำ

1เอ็มx8

ประเภทการติดตั้ง

ทะลุรู

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

DS1265Y-70+

ชื่อแบรนด์

Original

หน่วยความจำขนาด

8 เมกะบิต

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

ไอซี NVSRAM 8 เมกะบิต แบบขนาน 36EDIP

ประเภท บรรจุภัณฑ์

ท่อ

อุณหภูมิในการทำงาน

0°ค ~ 70°ซี (TA)

แพคเกจ/กรณี

โมดูล 36-DIP (0.610", 15.49 มม.)

Series

-

แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ

4.5V ~ 5.5V

ความถี่นาฬิกา

-

เขียนรอบเวลา-คำหน้า

70 นาโนวินาที

อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ

ขนาน

รูปแบบหน่วยความจำ

เอ็นวีแรม

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย

รายการเดียว

แพคเกจเดียวขนาด

1X1X1 ซม.

เดี่ยวน้ำหนักรวม

0.100 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

รายงานกิจกรรมที่น่าสงสัย

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์

แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม

9 - 3,008 ชิ้น

฿3,777.81

>= 3,009 ชิ้น

฿1,889.24

รูปแบบ

เลือกเลย

รหัสวันที่ผลิต

ใหม่

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ