โมดูล 32 DIP รุ่น BQ4014YMB-85 ชิ้นส่วนหน่วยความจำ อิเล็กทรอนิกส์ BOM IC มีสินค้าในสต็อก

ยังไม่มีรีวิว

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 ปี

HK

คุณลักษณะ

NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)เทคโนโลยี

ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ

256,000 x 8การจัดระเบียบหน่วยความจำ

ทะลุรูประเภทการติดตั้ง

BQ4014YMB-85หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

Originalชื่อแบรนด์

หน่วยความจำขนาด:2 เมกะบิต

สถานที่กำเนิด:China

ลักษณะ:ไอซี NVSRAM 2 เมกะบิต แบบขนาน โมดูล 32DIP

ประเภท บรรจุภัณฑ์:ท่อ,ท่อ

อุณหภูมิในการทำงาน:0°ค ~ 70°ซี (TA)

แพคเกจ/กรณี:โมดูล 32-DIP (0.61", 15.49 มม.)

Series:-

แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:4.5V ~ 5.5V

ความถี่นาฬิกา:-

เขียนรอบเวลา-คำหน้า:85 นาโนวินาที

อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน

รูปแบบหน่วยความจำ:เอ็นวีแรม

คุณสมบัติที่สำคัญ

เทคโนโลยี

NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)

ประเภทหน่วยความจำ

ไม่ระเหย

การจัดระเบียบหน่วยความจำ

256,000 x 8

ประเภทการติดตั้ง

ทะลุรู

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

BQ4014YMB-85

ชื่อแบรนด์

Original

หน่วยความจำขนาด

2 เมกะบิต

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

ไอซี NVSRAM 2 เมกะบิต แบบขนาน โมดูล 32DIP

ประเภท บรรจุภัณฑ์

ท่อ,ท่อ

อุณหภูมิในการทำงาน

0°ค ~ 70°ซี (TA)

แพคเกจ/กรณี

โมดูล 32-DIP (0.61", 15.49 มม.)

Series

-

แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ

4.5V ~ 5.5V

ความถี่นาฬิกา

-

เขียนรอบเวลา-คำหน้า

85 นาโนวินาที

อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ

ขนาน

รูปแบบหน่วยความจำ

เอ็นวีแรม

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย

รายการเดียว

แพคเกจเดียวขนาด

1X1X1 ซม.

เดี่ยวน้ำหนักรวม

0.100 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

รายงานกิจกรรมที่น่าสงสัย

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์

แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม

10 - 3,009 ชิ้น

฿739.68

>= 3,010 ชิ้น

฿370.01

รูปแบบ

เลือกเลย

รหัสวันที่ผลิต

ใหม่

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ