สถานที่กำเนิด
Jiangsu, China
วัสดุพื้นฐาน
GaInP2/GaAs/GeGe
ขนาดเซลล์ GaAs บนแผ่นรองรับ
(80.150.05)มม.*(40.150.05)มม
ความหนาของเซลล์
0.360.02 มม.
พื้นที่เซลล์ที่ใช้งาน
30.15 ซี㎡
น้ำหนักเซลล์ GaAs
(12512)มก./ซี㎡
