คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
128 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ชิปวงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:PSRAM (ซิวโด SRAM)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.7V ~ 2V
ความถี่นาฬิกา:200เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:16M x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:35 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:SPI - ออคทัล I/O
