คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
256 กิโลบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
จำนวนมาก,จำนวนมาก,หลอดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:วงจรรวมไอซี
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:NVSRAM (SRAM แบบไม่ลบเลือน)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:3.4 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:32Kx8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:I2C ไอทูซี
