153 WFBGA THGJFJT1E45BATP ชิ้นส่วนหน่วยความจำ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ BOM ไอซี มีสินค้าในสต็อก
คะแนนร้านค้า :4.5
(2 รีวิว)
คุณลักษณะ
แฟลช - แอนด์เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
256Gx8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
2Tบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:ถาด
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:ไอซี ชิป วงจรรวม
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.4V ~ 2.7V
ความถี่นาฬิกา:2.32GHz
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ยูเอฟเอส 4.0
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
แฟลช - แอนด์
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
256Gx8
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
ความถี่นาฬิกา
2.32GHz
คุณสมบัติ
ไอซี ชิป วงจรรวม
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
สถานที่กำเนิด
China
หน่วยความจำขนาด
2Tบิต
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
2.4V ~ 2.7V
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ยูเอฟเอส 4.0
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
ขนาดแพคเกจต่อชุด
1X1X1 ซม.
น้ำหนักสุทธิต่อชุด
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1 - 3,000 ชิ้น
฿1,308.32
>= 3,001 ชิ้น
฿654.16
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
THGJFJT1E45BATP เทจีเจเอฟเจท1อี45บีเอทพี
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
